利用反射光譜和光致發(fā)光譜，對采用氫化物氣相外延法（HVPE）和分子束外延法（MBE）生長GaN樣品的光學性質進行了研究。由反射光譜得出樣品的膜厚和禁帶寬，同時也說明了HVPE法生長GaN的速率快于MBE法。而通過不同積分時間下的光致發(fā)光譜的分析，可以看出MBE制備樣品中沒有明顯的黃帶發(fā)光現象，而且?guī)н叞l(fā)光峰光強比HVPE樣品強，初步結論是MBE比HVPE制備樣品質量好。